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| Référence fabricant: | STP10N60M2 |
| Fabricant: | STMicroelectronics |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | 48788 En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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| Taper | Description |
|---|---|
| État du produit | Active |
| type fet | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| tension drain-source (vdss) | 600 V |
| courant - drain continu (id) @ 25°c | 7.5A (Tc) |
| tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé) | 10V |
| rds sur (max) @ id, vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250µA |
| charge de grille (qg) (max) @ vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| vg (max) | ±25V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | 400 pF @ 100 V |
| fonction fet | - |
| puissance dissipée (max) | 85W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| paquet de dispositif de fournisseur | TO-220 |
| paquet / caisse | TO-220-3 |
168 clients sur 176 (98%)
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