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| Référence fabricant: | TP2535N3-G |
| Fabricant: | Microchip Technology |
| Partie de la description: | MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | 50080 En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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| Taper | Description |
|---|---|
| État du produit | Active |
| type fet | P-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| tension drain-source (vdss) | 350 V |
| courant - drain continu (id) @ 25°c | 86mA (Tj) |
| tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé) | 4.5V, 10V |
| rds sur (max) @ id, vgs | 25Ohm @ 100mA, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 1mA |
| charge de grille (qg) (max) @ vgs | - |
| vg (max) | ±20V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | 125 pF @ 25 V |
| fonction fet | - |
| puissance dissipée (max) | 740mW (Ta) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| paquet de dispositif de fournisseur | TO-92-3 |
| paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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